本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其......

CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设......

宽带隙半导体材料SiC因其高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔......