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D滞留相关论文
氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究
核聚变等离子体与面壁材料之间存在复杂的相互作用,对第一壁材料有严格的多样要求,其中之一就是D、T在材料中的滞留量要低。而C碳......
学位
射频磁控溅射
含D的碳薄膜
含D的碳硅薄膜
D滞留
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