为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进......

摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形......