N+偏移区相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

N+偏移区相关论文

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端

针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N＋偏移区......

期刊

P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管终端结构场限环 N+偏移区多级场板 P-channel vertical double-diffuse MOSFET e

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