P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管（P型栅GaNHEMT）相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管（P型栅GaNHEMT）相关论文

P型栅GaN HEMT功率器件的功耗模型与集成ESD保护新结构

目前,基于P型栅的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（P型栅Ga N HEMT）是实现高效、高频、高温功率变换的一种良好方案,且其凭借在成本......

学位

P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管（P型栅GaN HEMT）开关功耗解析模型电容静电放电（ESD）

看过本文同时还关注