PMOS器件相关论文
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的......
基于28 nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响.实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑......
采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS......
研究了热载流子应力下栅厚为2．1nm，栅长为0．135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系．实验发现，器件的退化机制......
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier rejection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了......
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布......
随着半导体技术的发展,器件日益小型化,pMOS器件的负温度不稳定效应NBTI(Negative Bias Temperature Instability)加剧,成为影响器......
