本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入......

为了改善PtSiIRCCD器件的红外响应特性，需要添加长焦距微透镜阵列进行焦平面集光，本文提出了一种新的方法—曲率补偿法用于长焦距微......

利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成......

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。......

PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). The surface structure of thesefilms wa......