Silvaco仿真相关论文
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表,因其具有高禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度、高击穿场强等一系列优良的电学特性,......
为详细研究超级结体内独特的二维电场分布,通过Silvaco软件建立半导体超级结器件基本结构(超级结PiN),展开直观的定量仿真分析.在......
随着CMOS工艺水平的不断提高,科研机构也加大对微纳米加工科研平台的投入。CMOS器件作为半导体电路核心的基础单元,广泛应用于各类......
碳化硅(SiC)半导体材料由于其禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速度高等优点,在电力电子器件领域逐渐崭露头角。SiC器......
MoS_2作为一种典型的2D半导体材料,由于其优异的电学特性,被寄予了替代传统硅材料在纳电子器件中发挥重要作用的希望。然而MoS_2作......
在后摩尔时代的今天,半导体工艺制程即将进入3纳米节点,硅基材料和二维材料之争越演越烈。然而,石墨烯(graphene)的本征禁带宽度为......
场致发射阵列阴极的工作原理使得它与传统真空阴极相比，具有许多优点，如：冷阴极，抗辐射，高电流密度，低电压调制，启动快等。但目前场发射阵......
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件......
U-MOSFET是在LDMOS和VDMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,具有大电流和低导通电阻、无少子存储效应、开关速度快、可工作于......
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随着电力电子技术的发展,电力电子器件功率二极管,作为电力电子技术重要基础，得到了广泛的关注和研究。同时,器件MPS因具有SBD快速......
采用宽禁带半导体材料4H-SiC制作的肖特基势垒二极管SBD具有PN结二极管无法比拟的优越特性。国外对4H-SiC材料及其器件的研制和分......
为了进一步提高器件的性能,新型材料GeSn进入了研究视野,GeSn的带隙可以连续变化,即可以从间接带隙半导体变为直接带隙半导体,同时......
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是近年来迅速发展起来的第三代新型半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，GaN基器件耐高温、高压、高......
GaN基HEMT以其优异的特性，在大功率、高温和高频应用领域中备受人们关注。尽管AlGaN/GaN HEMT器件有很多优势，但是电流崩塌以及击穿......
AlGaN/GaN HEMTs器件由于其二维电子气浓度高，饱和速度大，材料的击穿电场以及大的禁带宽度使其能够在较高的温度下工作，因此它将成为......
