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n-VO2p-GaN异质结相关论文
    VO2和GaN薄膜的生长与n-VO2/p-GaN异质结特性研究
    二氧化钒(VO2)具有独特的可逆半导体-金属相变特性(SMT),在68℃的临界温度下,从低温单斜晶相(P21/c)的半导体态变化到高温四方晶相(P42/mn......
    学位
    VO2薄膜 GaN薄膜 n-VO2/p-GaN异质结 脉冲激光沉积(PLD) 分子束外延(MBE)

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