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p型导电机理相关论文
氧化锌材料p型掺杂研究进展
氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光......
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Zinc oxide p-type doping the mechanism of p-type conduc
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