沟道效应相关论文
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用，在经典力学框架内和小振幅近似下，利用正弦平方势，把粒子运动方程化为......
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为......
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分......
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是“二十一世纪的硅集成电路......
随着产生低速高电荷态离子源性能的提高，高电荷态离子与固体间的相互作用正在受到越来越多地关注。特别是，关于高电荷态离子在固体表......
采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3......
利用正弦平方势 ,把粒子运动方程化为具有运动阻尼和周期调制的摆方程 .利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和混沌行为 ,指出了......
采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积A......
以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并进行了离子注入设备模型的初步研究......
采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3......
在量子力学的框架内描述了带电粒子与晶体相互作用,利用正弦平方势把沟道粒子的Schr(o)dinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理......
不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟......
