InAs衬底相关论文
氧化铪（HfO2）基铁电薄膜具有与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容、特征尺寸微缩能力强、制备工艺成熟等特点。作为一种新型铁电材料......
本文主要探索InAs衬底,在异质外延之前,衬底脱氧之后,InAs/InAs同质外延的生长、不同淬火关闭砷阀条件对InAs表面形貌的影响以及如......
