碳纳米管具有独特的机械、电学以及光学性质，显示出了广阔的应用前景。单壁碳纳米管根据其对称性结构可以呈现金属性或半导体性。碳纳米管中的电子输运是典型的弹道输运，它具有电流密度大，小电阻，以及大载流子迁移率，热导性能好等优点，到目前国内外已有很多实验室利用单壁半导体性碳纳米管制成了碳纳米管场效应晶体管，其有可能应用于纳米电子集成电路，并将带来电子工业器件产品的小型化及性能的飞跃。但是，实验已观测到碳纳米管场效应晶体管中的无规则电报信号杂音，而且该杂音强度有时还大于硅晶体管中的相应电杂音强度。众所周知，栅极氧化层中大量缺陷引起的无规则电报信号杂音的叠加会导致l/f低频电杂音。电杂音问题是影响碳纳米管场效应晶体管进入产业化生产的障碍之一。因此，理解单个缺陷电荷在碳纳米管中引起的无规则电报信号杂音对于设计高性能的碳纳米管场效应晶体管意义重大。