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本文从栅极寄生电容出发,在理论上系统的介绍了器件开关过程中栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd在不同的栅电压下对栅电荷的影响,同时对Vgs、Vds、Id等参数的变化趋势做了深入的分析.结合对于栅电荷的测试方法,详细介绍了栅电荷的测试原理,并以SW9N00产品为例,给出了相关的测试条件和测试结果.
功率MOSFET栅电荷分析及测试方法
【摘 要】
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本文从栅极寄生电容出发,在理论上系统的介绍了器件开关过程中栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd在不同的栅电压下对栅电荷的影响,同时对Vgs、Vds、Id等参数的变化趋势做了深入的分析
【机 构】
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西安芯派电子科技有限公司
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2014年期
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