VDMOS相关论文
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
A novel structure of a VDMOS in reducing on-resistance is proposed.With this structure,the specific on-resistance value ......
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconduc......
The RC-IGBT(reverse conducting insulated gate bipolar transistor) is a new kind of power semiconductor device which has ......
大多数开关电源都朝着高速、高效率、高集成度的方向发展,其产生的电磁干扰(EMI,Electromagnetic interference)问题愈来愈严重,同......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
功率VDMOS器件凭借着承受电压高、承受电流大、开关速度快和频率特性稳定等众多优点被广泛应用于航天电子设备中,但宇宙空间中的带......
随着功率半导体器件的不断发展与电子电力技术的进步,其可靠性一直是电子科学与技术领域关注的重点。功率循环试验是利用科学假设......
功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关......
目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数。而VDM......
超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间......
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件.通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器......
由于固态功放在性能、线性、结构、供电,维护等方面具有明显的优势,因此在广播、电视等发射领域中得到了广泛的应用.本文对全固态......
河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖.......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......
垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧......
主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给......
现介绍了低压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOS设计耐压为100V,直流最大电流75A,导通电阻0.014Ω。考虑到方便生产线......
基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导......
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS......
