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GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
为了适应电力电子和电源管理等电路系统日益增长的功率密度、工作频率、高温适应能力、开关速度和电压应用范围需求,具有高耐压、......
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