【摘 要】
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现介绍了低压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOS设计耐压为100V,直流最大电流75A,导通电阻0.014Ω。考虑到方便生产线的情况,采用平面结构,按照电参数的要求,确
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现介绍了低压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOS设计耐压为100V,直流最大电流75A,导通电阻0.014Ω。考虑到方便生产线的情况,采用平面结构,按照电参数的要求,确定外延层浓度和厚度、P阱掺杂浓度、元胞尺寸、终端结构;最终通过流片验证产品。
Now introduced the development of low voltage high current VDMOS power transistor. The development of VDMOS design voltage 100V, the maximum DC current 75A, on-resistance 0.014Ω. Taking into account the convenience of the production line situation, the use of planar structure, in accordance with the requirements of electrical parameters to determine the epitaxial layer concentration and thickness, P-well doping concentration, cell size, terminal structure;
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