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增强型技术是AlGaN/GaN HEMT功率器件领域的关键技术之一,本文提出一种新型场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT器件,该结构通过采用刻槽以及垂直栅结构等技术,在栅极施加电压调节能带分布并控制隧穿进而控制器件开启与关断,从而实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件。本文利用ISE仿真软件，分析了所提出的场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT新结构工作机理，结果表明该器件具有优良的器件特性。