MESFET相关论文
采用MESFET管芯行波放大电路和MMIC单片电路设计了0.8~18GHz幅相跟踪中功率放大器系列.该中功率放大器系列增益大于20dB,幅度一致......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
Cree在2011 IEEE国际微波论坛上演示了首个工业级卫星通信用C波段GaN HEMT MMIC大功率放大器。该产品具有引人注目的性能,超越了目......
用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数......
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS......
本文介绍了无损和有损增益补偿网络的图解设计方法,讨论了运用这种方法设计微波晶体管放大器的优点。此法以使用在史密斯图上设置......
SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......
设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非......
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采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的......
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
