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(i-a-Si:H/p-μc-Si:H)界面过渡层对nip非晶硅太阳电池性能的影响

来源 :第九届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tanleilei
【摘 要】
：
本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可
【作 者】
：
王锐 俞远高 薛俊明 侯国付 孙建 耿新华 杨瑞霞 
【机 构】
：
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
【出 处】
：
第九届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
：
2006年期
【关键词】
：
界面过渡层 非晶硅太阳能电池 电池性能 硅表面 晶化硅薄膜 界面处理方法 等离子体处理 等离子处理 电池特性 表面制备 表面生长 状况 应用 技术 成核 
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本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可以改善非晶硅表面的状况,使其表面生长出p型晶化硅薄膜;H等离子体处理非晶硅表面后生长成核层的界面处理方法可以进一步改善电池的特性.
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