硅表面相关论文
利用超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）研究在Si表面上生长原子级的纳米结构和研究制作纳米器件一直以来都是热点.Si（5512）表面具有一维......
利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅(100)表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25μm的微结构。利用荧光......
通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50......
在SF6气氛中使用飞秒激光对单晶硅表面进行辐照,制造了尖峰状的微结构表面,随后在该表面上通过磁控溅射了一层掺铝氧化锌(AZO)薄膜......
介绍了在SF6气体环境下由不同脉冲能量的飞秒激光在硅表面蚀刻出的尖峰结构的变化。其中,硅表面形成的尖峰高度先是随脉冲能量的升......
不同温度下利用钛宝石激光器输出的飞秒激光脉冲(脉宽42fs,中心波长800nm,最大单脉冲能量3.6mJ),通过扫描方式在硅表面诱导产生表......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
黑硅材料具有良好的光学吸收特性,广泛用于太阳能电池和红外探测器的制备中。基于黑硅材料制备的探测器具有光谱响应度大、响应范......
<正>本世纪80年代初,扫描探针显微镜(SPM)对硅表面第一次的实空间成象使整个世界为之震惊,现在扫描探针显微镜已在各行各业获得了......
亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构,可看成是一层折射率均匀的介质层,仅存在零级的透射和反射衍射。基于等效介......
利用激光诱导化学镀技术,首次在硅片上沉积出金属镍。研究了沉积速率与各实验参量的关系,并对积沉斑的形状进行了分析和讨论。
Th......
测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上......
本文介绍了以POCl_3为材料源作硅中磷扩散的系统研究工作。特别是确定了实现仅受磷在硅中溶解度限制的扩散在POCl_3-O_2-N_2系统中......
建立了无火焰原子吸收分光光度法对高纯水、高纯硅及硅表面二氧化硅薄膜中痕量钠的测定方法.在局部净化,严格的试剂提纯及操作的情......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
对美国测试与材料学会提供的二氧化硅标准样品,用四台电子能谱仪进行了氩离子对二氧化硅的溅射产额的会测。在1KeV、3KeV 和5KeV ......
半导体材料对外来杂质是非常敏感的,不仅在半导体器件的制造过程中微量杂质的沾污能严重地影响元件性能,而且制成合格管芯后,表面......
引言 在以硅单晶为基础材料的半导体器件制造过程中,每当用HF去除硅表面SiO_2。层或用HF-HNO_3溶液对硅片进行化学清洗时,硅表面......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
Schwettman, Chiang和Brown以及Grunthaner和Maserjian等人已经证明了采用不同的预氧化清洗方法,可以改变硅热氧化时SiO_2的生长速......
用于硅表面低温钝化的阳极二氧化硅膜的优化＝Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆａｎｏｄｉｃｓｉｌｉｃｏｎｏｘｉｄｅｆｉｌｍｓｆｏｒｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃｏｎｓｕｒ－ｆａｃｅｓ［刊，英］／Ｍｅｎｄｅ，Ｇ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ...
Optimization of anodic silica membranes for low temperature passivati......
聚酰亚胺是一种新型耐高温钝化材料,涂敷在硅表面上形成的薄膜带有负电荷,可以削弱硅表面电势,此外聚酰亚胺还具有物理和化学性能......
<正> 正电子湮没技术中最常用的放射源是22Na 薄膜源。通常把22Na的溶液滴在Ni箔或Mylar膜上。由于正电子在Mylar膜上的湮没,在寿......
本文回顾了多晶硅绒面的制备技术，重点介绍了酸腐蚀在制备大面积低成本多晶硅太阳能电池方面的发展情况，比较了不同制造工艺的效率。......
通过对Ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＣＭＰ工艺各参数的优化，采用Ｐａｄ ＵＲ－１００，Ｓｌｕｒｒｙ Ｎａｌｃｏ ２３６０，Ｔａｂｌｅ ｓｐｅｅｄ８０ＲＰＭ，Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｐｅｅｄ ５０ＲＰＭ，Ｄｏｗｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ２ｐｓｉ，Ｓｌｕｒｒｙ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ２００ｍｌ／ｍｉｎ的条件获得了表面粗糙度３５Ａ的好结果。......
有机分子功能广泛，将它用于半导体装置，可以大大改善现有装置的光电性能，有广阔的应用前景。了解有机分子与半导体硅表面的相互 作用，......
自20世纪80年代末以来,纳米技术在信息、材料、生物、微电子和微制造方面显示出越来越重要的应用前景,已成为世界关注的重要科技前......
激光微加工技术在半导体工业中有着很好的应用前景。作为新的加工手段，飞秒激光以其物质移除的质量高、亚微米量级的加工精度、高的......
作为微电子技术领域的基础与核心，半导体材料的发展倍受关注，而其中半导体表面的化学修饰因其巨大的潜在应用价值成为一个非常热门的......
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究在Si表面上生长原子级的纳米结构和研究制作纳米器件一直以来都是热点. Si(5512)表面具......
在室温下利用扫描隧道显微镜观测了单个富勒分子在硅(111)-7x7表面的吸附取向。“六环”和“6-6键”富勒烯分子在Si(111)表面分别......
本论文结合了氩离子刻蚀和电流直接加热的处理方法,优化了实验流程,制备出了“超净”硅(111)-(7x7)重构表面。在此基础上,利用超高......
超短激光脉冲在一定的气体氛围下作用于硅表面时，照射过的区域人眼看起来为黑色，而其微观表面为微米量级的尖峰结构，俗称“黑硅”。该......
离子束辐射能够在多种半导体材料表面产生具有一定周期性的自组织纳米结构。由于该方法对设备要求不高，工艺流程简单，且利用该方法制......
本文采用第一性原理密度泛函方法计算研究了 Si(111)表面上几种不同形状的Si、Ge纳米结构、并研究了它们的电子结构及光学特性。对......
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In/Si表面的稳定性和小面化进行了研究,新发现了In覆盖度在1/2单层原子以下的三个稳定表面:......
在密度泛函理论耦合超软贋势第一性原理的平台上，研究了甲烷在Si(111)表面的物理吸附特性。通过建立硅晶胞的不同吸附位置(top、bri......
NuSil科技公司新近宣布推出MED-6670（可固化涂层），可使固化有机硅表面涂层的摩擦系数比非有机硅表面至少降低50％。......
本研究小组曾简要报道过扫描速率对Au衬底表面分子沉积膜(MD)的纳米摩擦特性的影响[1],本文利用原子力显微镜(AFM)研究了硅表面、......
We evaluated sliding acceleration of a water droplet on a silicon surface treated with octadecyltrichlorosilane by chang......
