表面浓度相关论文
采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用.文章主要探讨相同注入剂量,不同......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
This article descr......
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
Aiming at the open-tube acceptor dou......
采用铈钨材料作阴极比纯钨阴极灯的寿命要高得多。因为铈的逸出功比钨低得多,相应就降低了脉冲氙灯阴极发射点的温度。在氙灯放电......
本文叙述的是我们在TTL数字集成电路的浓硼隔离扩散时,硅片上产生的一种“白雾”现象的实验结果,并对产生“白雾” 的成因机理进行......
本文介绍了一种用固态磷扩散源作磷扩散的工艺方法与反应机理,工艺设备及扩散条件与结构参数的关系,同时实验地确定了该扩散工艺方......
近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体......
集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低......
由于器件参数的要求使硼扩散表面浓度高,以及由于某些偶然因素使硼扩散表面浓度升高都会造成光刻中腐蚀困难.采用硝酸煮沸的方法可......
本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.
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