结深相关论文
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
我是一个热爱生活的人。 凡是我不知晓的,我都希望知晓;凡是我不会做的,我都希望去尝试。我在培养自己的疯癫,因为我觉得企业家......
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm C......
有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认......
本文叙述了合成溶质(固体红磷)扩散法生长磷化镉(CdP_2)。经X射线分析证明,合成的化合物为CdP_2。用它作扩散源,在杂质浓度为8×10......
本文介绍用元素磷和锌在闭管真空石英管中合成ZnP_2晶体的过程。X—射线检验证实一种是红色四方晶形ZnP_2,另一种是黑色单斜晶形Zn......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂......
本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,......
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退......
本文用EBIC法对SBD元件进行了观测。在加速电压1—2.5kV、束流约3×10~(-12)A的条件下,对SBD元件的结深进行了非破坏性测量,其值约......
用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过......
从古到今，“输不起”情结深植于中国文化基因中，纠结在诸多领导者的脑子里。因为输不起，所以无法接受批评、拒听反对意见、打压异己、......
文中对压力传感器中用扩散法和离子注入法制作的电阻的温度系数进行了研究。实验结果表明，同扩散法制备的电阻相比，采用离子注入法制......
乔大壮,四川华阳(今双流县)人,生于1892年(清光绪十八年)。他早年在北京担任市图书馆管理员时,就与后来成为大文豪的鲁迅结交,情趣......
在半导体芯片制造过程中,结深是重要的工艺参数之一.本文介绍用光波干涉法测量结深,操作简便,精度高,特别对10μm以下的结深测量,......
速水优在国际财金界以“头脑清楚”著称,但却“生不逢时”。
Speed water excellent in the international financial commun......
