反向漏电流相关论文
随着半导体分立器件技术的不断发展,中国已经成为世界上分立器件的制造大国。分立器件的测试需求大大增长,对测试机的需求也急剧增......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
采用UMC 0.18μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路。介绍了几种典型的负电压......
针对目前市场上二极管HTIR在线测试系统的空白，本文提出了一种新的HTIR在线测试方法，采用了一种新的高温自热的方式，彻底改变了以往必......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂......
本文在简要介绍玻璃钝化封装二极管(以下简称玻封二极管)可靠性指标的基础上,着重论述了决定该器件的电学性能、结构形式、封装材......
基于大量的具有热斑缺陷的晶硅光伏组件测试结果,将热斑种类归纳为阴影遮挡型热斑和非遮挡型热斑.分析阴影遮挡型热斑组件的I-V曲......
整流二极管高结温下反向漏电流随温度增加,工作可靠性随结温的升高而降低,现有的测试技术无法逐一剔除高温漏电流较大的器件.本文......
提出一种具有低反向泄漏电流和低导通电阻的SiC MPS二极管,它利用刻槽注入P区的方法突破SiC中P型离子注入深度的限制,同时采用一种......
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V......
