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通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
黑暗时,即使关上汽车车门,车厢内照明如能持续一定时间的话,无论是操作点火键还是系安全带都十分方便。一般经验认为断开延迟时间......
瓦里安2100C/D加速器枪驱动系统,由冷端和热端两部分组成.系统采用数字栅控电子枪,实现数字化自动控制,提供精确稳定的灯丝电压、......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
