红外探测器相关论文
锑化物Ⅱ类超晶格（T2SL）是极具潜力的第三代红外探测器材料,对其组分进行微调,就可以实现2～30μm波段的红外探测。中红外探测器在远程......
高帧频中波制冷红外探测器在机载光电吊舱、红外警戒系统、光电跟踪瞄准系统中有着广泛应用。传统的碲镉汞中波制冷红外探测器在保......
InAs1-xSbx属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3～12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系......
采用光沉积法在SnSe纳米管表面沉积Ag纳米粒子，在室温下制备了Ag修饰的SnSe纳米管（Ag/SnSe），通过SEM、EDS、TEM和XRD等手段表征其表面......
热电堆红外探测器具有无需额外偏置电路、无需目标物体移动、宽光谱响应、可室温工作、功耗低以及良好的性价比等一系列独特优点。......
红外探测器在军事成像、环境和医疗等领域有着广泛的应用。与常用的碲镉汞（MCT）红外探测器相比,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格（T2SL）红外探测器......
近年来,基于微机电系统（MEMS）的像元结构非制冷红外探测器的研究取得了显著进展,对现有红外探测器性能和功能的进一步提升,很大程度......
热释电红外探测器具有体积小、重量轻、非制冷、探测波段宽等优点,广泛应用于夜视镜、报警系统、成像系统等场合。在当前日益复杂......
目的:探索热层析技术应用于局部晚期乳腺癌（LABC）新辅助化疗（NAC）早期治疗疗效中的可行性和预测价值。方法:对124例乳腺癌病人NAC开始......
红外制导技术已用于多种精确制导武器，介绍了世界上典型的红外精确制导武器的发展现状，包括空空、反舰、面对空、空对面、反坦克和多......
作为红外探测器封装中的关键工艺,引线键合的质量直接影响红外探测器组件的性能及使用寿命.通过在陶瓷基板与读出电路之间粘接不同......
随着空间遥感技术的快速发展,高分辨率的超大规模拼接类红外探测器的空间应用需求加大.但此类探测器组件的制冷机在工作时扰动明显......
红外辐射是自然界中大量存在的信号与能量,但却无法被人眼感知。而红外探测则是人类认识自然界的极其重要的武器,能扩展人类的视野......
红外光电探测技术发展至今已有近九十年历史。当前,红外探测系统的发展方向是更小尺寸（Size）、更低重量（Weight）、更小功耗（Power）、更低......
科技发展的本质是人类不断探索和认识世界的过程。红外天文探测器是人类探索外太空世界的有力工具,其重要性不言而喻。阻挡杂质带（B......
碲镉汞由于其高量子效率、高工作温度范围、禁带宽度连续可调、电子迁移率高等优点成为高速、高分辨率、高光谱探测应用领域最具竞......
窄禁带半导体是禁带宽度小于0.5 eV的半导体。其较窄的禁带宽度带来了诸如高非抛物系数、更容易的碰撞离化与更大的带到带隧穿等独......
在多元红外探测器的测试过程中,传统方法是通过分析仪采集并配合人工读数的方式来实现数据获取,这其中分析仪与前置放大器、气源及......
热释电探测器作为一种响应速度较快的非制冷型红外探测器件,在热红外探测领域有较大的应用潜力。锰离子掺杂的弛豫铁电单晶(Mn:（1-x......
对于空间应用的红外探测器组件,寿命试验是一种很重要的可靠性试验方法,其统计结果是可靠性预测的重要依据.考虑到红外组件寿命试......
由III-V 族半导体材料InAs/GaSb 或InAs/Ga1-xInxSb 构成的II 类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面......
利用分子束外延技术(MBE)，在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜......
随着军事、航天、航空等领域的发展,红外探测器正向超大面阵、超长线列方向发展,对红外探测器封装杜瓦提出了高可靠、长寿命和轻量......
近几年,二类超晶格红外探测器在材料生长、器件结构设计、器件制备上经历了快速的发展,使得二类超晶格成为除碲镉汞外最受关注的红......
高帧频红外焦平面探测器在红外武器系统、光谱成像和高速测温中有着重要应用。目前,我国高帧频红外焦平面技术还比较落后,这严重制......
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室......
研究了用Mn--Co--Ni--O薄膜材料制备的热敏红外探测器件，并主要通过调控衬底热导改进了器件性能。对于较薄的探测元，研究了具有微桥......
在短波红外天文探测应用中，背景辐射极低、信号电流极小，每秒仅产生几个光电子，为了实现较高的信噪比，探测器应具有极低的噪声。在目前......
InAs/GaSbⅡ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选，近年来被广泛研究，并取得快速发展。......
热敏电阻型红外探测器是红外地球敏感器的核心元件, 其质量决定整个卫星姿态测量精度。热敏电阻型红外探测器元件制造过程工艺复杂......
经过多年的研发工作，制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力，其阵列规格也从最初的......
摘 要：为适应第三代红外探测器的需求， 提出一种大阵列低功耗的1 280×1 024红外读出电路设计方案。 在分析各模块实现的基础上， 重点......
红外成像系统凭借其非接触式被动成像和适应夜间工作的优点,目前在军事、工业、森林消防等领域取得了广泛的应用。但是,其核心器件......
当了一辈子强盗的包租公，快到金盆洗手的时候家里的保险箱被人撬了，买棺材本的300万被一洗而空，这是成龙大哥《宝贝计划》里的电影剧......
为了进一步提高末敏弹在复杂战场环境下对地面装甲目标的识别概率,提出了一种基于轻量化卷积神经网络的红外图像与距离像复合探测......
基于红外探测系统对小体积制冷型红外探测器的应用需求,提出了一种新型非真空制冷型红外探测器小型化封装技术。阐述了其结构和工......
针对人工切割石英管效率低,且容易破碎断裂的问题,基于环形切割均匀方法,设计出一种石英管环切机。该机通过高速旋转的环切砂轮,绕......
“资源一号”02E卫星配置的红外相机采用红外探测器组件,其阵列的规模达到了8000像元。该红外探测器技术难度大,实施工艺复杂,需要......
运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类......
测量了金属腔量子阱红外探测器在斜入射条件下的光电流谱,斜入射条件分为入射面垂直于器件长轴和平行于器件长轴两种情形。从实验......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
1994年10月,以色列的S.C.D半导体器件公司(Semi-Conductor Devices)组团参加了在北京国际展览中心举办的国际光电技术讨论会(IOPS......
应用半导体光电探测器中的非线性输运理论，给出了激光与探测器相互作用的一般公式。数值计算结果表明，在一定强度的激光作用下，系统出......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀......
