硅膜相关论文
硅膜是一种重要的材料，在半导体、电子、锂离子电池、医学、尤其太阳能电池领域均有应用。然而传统硅膜制备方法是以有机硅为原料，存......
通过改变氢气对硅烷的稀释比R,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出具有非晶/微晶相变过渡区的氢化硅薄膜,并研究了所......
目的检测转基因表皮细胞在人工真皮和生物硅膜上能否生长,是否适合作为表皮细胞移植的载体.方法分别将转基因表皮细胞种植于人工真......
本文介绍我们通过掩膜图形的设计，在（１００）单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作错综复杂的正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小......
本文描述了用硅的各向异性择优选择腐蚀与金属剥离技术相结合,研制软 x 射线光刻用的金-硅掩模的基本实验结果。
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在金属-氧化物-半导体集成电路中,以硅栅代替铝栅的方法具有低阈值电压和自对准结构等优点,为国内外广泛采纳。硅栅MOS集成电路对......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550～750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度......
硅器件和集成电路中广泛使用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连线.长期的生产和实践证明铝金属化系统是成功的.小功率晶体管以及一般......
用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了......
本文对硅的电化学自致停腐蚀的原理作了简要分析，利用自制装置实现了硅电化学自致停腐蚀，成功制备出符合光波导要求的ＳＯＩ片。
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本文从理论和实验上证明了数片硅同时自停止腐蚀的可行性。结果表明:KOH溶液非常适用于该技术;当几片硅同时进行电化学腐蚀时不会......
研究了掺磷对纳米硅薄膜微结构和电学特性的影响 .指出气相掺杂能使nc Si:H膜中磷原子浓度达到原子分数 5%的水平 ,掺杂效率可达 ......
为描述飞秒激光辐照半导体材料的热力响应过程,扩展了热电子崩力和自恰场两种模型,得到了完全耦合的非线性热弹方程组.在单轴应力......
