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温度场对于碳化硅(SiC)晶体的生长至关重要[1-2]，其中轴向温度场主要控制晶体生长的速度，径向温度场则主要控制晶体的多型和应力分布，两者共同决定生长的碳化硅晶体的质量。本文主要通过新颖的保温设计，利用温度场模拟结合晶体生长实验分析，实现了4英寸碳化硅晶体生长过程中温度场的精确调控，生长获得了高质量4英寸导电型碳化硅晶体。