碳化硅晶体生长相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

碳化硅晶体生长相关论文

4英寸碳化硅晶体生长温场控制研究

　　温度场对于碳化硅(SiC)晶体的生长至关重要[1-2]，其中轴向温度场主要控制晶体生长的速度，径向温度场则主要控制晶体的多型和应力......

会议

碳化硅晶体生长温度场控制晶体生长高质量应力分布实验分析生长过程保温设计

拉曼光谱在SiC晶体生长和结构分析中的应用

碳化硅(SiC)晶体是重要的间接宽带隙半导体材料之一，具有优良的物理和化学特性，很早被证明是一种耐高温、高强度、耐磨损的应用材料，......

学位

碳化硅晶体生长拉曼光谱多种晶型结构分析

看过本文同时还关注