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随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了五种主要的金属栅制备工艺.
新型栅电极材料-金属栅
【摘 要】
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随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,100029
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年11期
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