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该工作采用封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统制备Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉／ＴｉＮ复合交替膜，获得（１１１）晶面择优生长的ＴｉＮ，对Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉强迫晶化，生成（２２１）晶面的β－Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉。薄膜分析了ＦＴＩＲ谱，并做了镀制该膜的麻花钻的钻孔试验。
新型磁控溅射法合成超硬材料氮化碳薄膜
【摘 要】
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该工作采用封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统制备Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉／ＴｉＮ复合交替膜，获得（１１１）晶面择优生长的ＴｉＮ，对Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉强迫晶化，生成（２２１）晶面的β－Ｃ〈，３〉Ｎ〈，４〉。薄膜分析了ＦＴＩＲ谱，并做了镀制该膜的麻花钻的钻孔试
【机 构】
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大学物理系加速器实验室
【出 处】
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97全国荷电粒子源粒子束学术会议
【发表日期】
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1997年期
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