【摘 要】
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采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH。在衬底为n型GaSb(偏角10
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室 西安 710119
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采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH<,3>。在衬底为n型GaSb(偏角100±0.1°)上低压下生长了InAs外延层。通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,对InAs外延层的表面结构性能进行了观察和分析,并作了讨论。研究发现:InAs外延层与衬底的晶格失配度(△a/a)为-0.4％。InAs/GaSb异质结PL谱检测的显示:室温(298K) PL谱峰值波长为3.29μm;90K峰值波长为3.19μm。
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