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硅是大规模集成电路制造的基础原料，化学物理抛光(CMP)是实现硅片平坦化的重要手段，因此，对硅的化学机械抛光过程的材料去除机理研究非常重要。提出了硅片抛光过程中的化学反应由两个反应组成，反应产物偏硅酸会阻止反应进一步进行；运用三体磨粒磨损理论来解释硅抛光的机械去除过程；分析了实际硅片抛光过程中的材料去除机理和粗糙度的形成。