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Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究
Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究
来源 :中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:niuniuplayplay
【摘 要】
:
采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻
【作 者】
:
王晓冬
吉元
肖卫强
李志国
夏洋
刘丹敏
【机 构】
:
中国人民武装警察部队学院基础部,河北廊坊,065000
【出 处】
:
中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年会
【发表日期】
:
2008年期
【关键词】
:
互连工艺
扩散阻挡层
俄歇电子能谱仪
铜薄膜
射线衍射仪
晶体学取向
阻挡效果
薄膜生长
织构
原子
体内
结果
XRD
AES
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采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻挡层能够有效阻止Cu原子向Si体内的扩散.
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