扩散阻挡层相关论文
薄膜晶体管（TFT）是广泛应用于平板显示领域的半导体器件。当前,大尺寸高分辨率高刷新率的面板拥有了愈发重要的市场地位,这就对TFT器......
钨钛合金因为具有抗腐蚀性和抗氧化性能好,导电导热性能好等优异性能,而经常被做成薄膜材料广泛用于半导体金属连接处的扩散阻挡层......
钨及其合金具有熔点高、密度大、高温强度好、弹性模量高、热膨胀系数小等优点,在航空航天、军事、核工业等领域有着广泛的应用,被......
随着集成电路半导体制造工艺水平的快速发展,器件的特征尺寸不断缩小,芯片的集成度不断提升。器件特征尺寸越逼近14纳米工艺节点,......
采用分子自组装技术,以Si为基底,在3-氨基丙基三甲氧基硅烷（APTMS）的浓度为3mmol/L,组装温度为70℃的条件下,通过调控反应时间制备AP......
飞机发动机涡轮叶片的热障涂层在服役时,遭受高温气流的长时间作用,会在叶片基体与粘结层界面处发生严重的元素扩散现象,使基体和......
Intrinsic zinc oxide films, normally deposited by radio frequency (RF) sputtering, are fabricated by direct current (DC)......
采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄......
集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连......
集成电路制造行业已经进入7nm技术节点,互连中的RC延迟、动态功耗与串扰噪声是影响器件性能的重要因素,工业界采用Cu/low-κ的互连......
自1997年IBM公司发布了可用于集成电路生产的铜布线工艺后,铜互连逐渐占据了集成电路生产的主导地位。但随着集成电路设计水平和特......
随着微电子器件集成度越来越高,互连导线尺寸逐渐减小到10纳米以下,亟需高性能的扩散阻挡层来阻止铜(Cu)互连导线与硅基体之间的互......
高温防护涂层广泛的用于航空发动机和燃气轮机的叶片以及其他热端部件的防护,在实际服役过程中高温防护涂层通常需要兼顾两个方面......
本文以Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/Ta-N为研究对象，采用了磁控溅射、反应溅射等技术在Si衬底上生长了Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/......
随着集成电路工艺技术的不断发展,与Al及其合金相比Cu由于具有电阻率低和抗电迁移能力好的特点已经成为大规模集成电路的互连材料......
随着集成电路工艺的发展，铜替代铝成为新一代的互连材料。为了防止铜扩散进硅器件中引起器件性能受损以及提高铜与硅、二氧化硅的粘......
随着集成电路工艺的发展,除了对器件本身提出的高速、低功耗、高可靠性的性能要求之外,互连技术的发展也在越来越大的程度上影响了......
在32nm及以下技术节点,互连带来的延迟超过了门延迟,成为器件性能进一步提升的瓶颈。而接触层的W塞工艺在32 nm及以下技术节点带来......
本文主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体......
寻找性能良好的阻挡层来抑制Cu的扩散一直是Cu互连技术的关键,因此,研究阻挡层的失效机理对于提高互连可靠性具有重要的意义。采用......
采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的......
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结......
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层......
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.......
以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测......
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄......
以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针......
本文提出了一种梯度氮化法制备出低阻、高稳定性的α-Ta（N）／TaN双层Cu扩散阻挡层，该方法有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高......
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱......
用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层.结果表明:Zr-Si-N膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同;随着溅射......
采用EB-PVD技术在镍基合金ReneN5基体表面沉积NiCrAlY粘结层,并对试样进行1000℃不同时间的恒温氧化处理,通过SEM、EDS、XRD研究了......
采用电弧离子镀方法在高温合金DSM11基材上沉积Al-O-N和Cr-O-N薄膜,研究了不同O2,N2流量对薄膜相结构的影响以及高温下DSM11/NiCoC......
采用磁控溅射法，制备了超薄MoN扩散阻挡层，并对Cu／MoN／Si体系进行真空退火。用四点探针（FPP）、X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM......
综述了镍基单晶高温合金扩散阻挡层的国内外研究进展。简要介绍了高温防护涂层/镍基单晶高温合金基体元素的互扩散现象,说明了扩散......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N（10 nm）/Zr（20 nm）双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气......
通过对Cu／Cu^2＋在TiW及硅中的扩散理论分析，从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0．38μm的PNP管......
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜......
研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱......
利用电弧离子镀技术在DSM11合金基体上制备含或不含扩散阻挡层（diffusion barrier,DB）的Ni Cr Al YSi涂层,对比研究2种涂层在900℃恒......
采用电弧离子镀技术在DSM11合金与NiCoCeAlY涂层间沉积Al-O-N高温扩散阻挡层薄膜,研究了不同O2、N2流量对Al-O-N薄膜相结构的影响......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层，Cu／Zr-N／Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针......
国内对分子纳米层作为铜扩散阻挡层的研究,以及对分子纳米层性能测试的仪器和方法比较欠缺。因此,本文介绍了表征有机分子纳米层作......
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在......
通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层.采用磁控溅射技术......
研究了铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡性能.在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu/......
