第一部分是针对铜布线工艺中钽阻挡层失效问题的研究.研究发现钽薄膜制备过程中,硅衬底表面清洁度对钽膜阻挡效果有很大的影响,适当的硅衬底表面清洁处理控制着钽膜的质量,是得到良好阻挡效果的必要条件;其次是对以不同淀积速率制备的钽薄膜的阻挡性能进行比较,结合钽薄膜的微观结构差异,提出钽薄膜失效的机理.第二部分是针对CSP（Chip Scale Pakage）封装（vfBGA）内部芯片断裂问题的研究.首先利用有限元分析软件ANSYS建立了一个三维模型,通过模型评估验证了模型的可靠性,并得到实验方法无法测量的芯片所能承受的最大应力大小;随后对改变器件内部芯片的厚度进行模拟,发现相同器件中芯片厚度对器件承受外力的能力影响不大;最后对实际的测试过程进行模拟计算,预测并找到了导致芯片断裂的根本原因,使其公司的vfBGA器件测试失效率从1800DPM左右下降到100DPM以内,完全达到了客户要求.