铜互连相关论文
自65 nm节点取代铝成为布线金属以来,铜被广泛用于集成电路互连工艺,化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够达到互连层平坦化要求的加工技......
学位
在集成电路（IC）产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜（Cu）相对于传统互连材料铝（Al）具有......
随着半导体器工艺节点的不断刷新新低,互连技术对芯片最终的质量影响越来越大,主要体现在可靠性、延迟、能耗等性能。自130nm技术......
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的......
本文概述了集成电路铜互连清洗工艺中常见的铜腐蚀缺陷的基本常识,介绍了大马士革工艺湿法清洗导致铜互连腐蚀的形成过程。AIO孔洞......
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙......
本文以Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/Ta-N为研究对象，采用了磁控溅射、反应溅射等技术在Si衬底上生长了Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/......
磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......
随着集成电路技术不断发展,互连RC(R为电阻,C是介质电容)延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始,其已成为影响电路速度的主要矛盾。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着超大规模集成电路特征尺寸不断缩小,多层Cu互连之间的RC延迟成为一个越来越严重的问题。由于低介电常数(low-k)材料配合空气隙......
目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代.铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀.在电镀液中有......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而......
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ ......
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不......
在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术......
