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随着集成电路的日益发展,生产工艺上铜已经成为首选的布线材料。目前,化学机械抛光(CMP)技术被认为是晶圆平坦化的最好方法之一。但......
在集成电路(IC)产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜(Cu)相对于传统互连材料铝(Al)具有......
氧化铈(CeO2)磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提......
随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
随着极大规模集成电路特征尺寸的缩小,钴(Co)由于具有较低的电阻率及粘附能力,成为铜互连的新型阻挡层材料,由于铜钴的物理化学性能......
铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......

