阻挡层相关论文
芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比， 化学镀因具有均镀保......
锂硫电池由于其高的比容量和能量密度成为二次电池中最具有潜力的下一代。然而,其放电过程较为复杂,且放电产物多硫化物易溶解于电......
硅通孔（TSV）阻挡层化学机械抛光（CMP）是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一，配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总......
近二十年,半赫斯勒材料是热电材料领域研究的热点之一。该类材料具有高使用温度、高热电性能、低廉的成本、优异的机械性能、良好......
随着大数据、物联网等平台的兴起,人们对于信息存储分析的需求井喷式增长,研发低功耗、低成本、高密度、高速的存储器迫在眉睫。阻......
随着极大规模集成电路（GLSI）的技术节点降低到7 nm以下,金属钌（Ru）凭借其优异的特性成为替代传统铜互连阻挡层材料钽/氮化钽（Ta/Ta N）的......
热电转换技术作为一种利用热电材料的热电效应来实现热能和电能直接相互转换的技术,受到了工业界和学术界越来越广泛的关注。高性......
在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP......
铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
集成电路技术节点已经发展到14nm及以下,传统阻挡层材料(Ta/Ta N)出现与铜(Cu)的粘附性变差、可靠性降低等一系列问题已经无法满足......
热电转换技术利用泽贝克效应和佩尔捷效应实现电能热能的直接转换,具有体积小,无传动部件,寿命长,无污染等一系列优点,是一种有潜......
在大规模集成电路制造过程中,化学机械平坦化（CMP）是关键工艺技术之一。钽（Ta）由于具有高稳定性、高导电性以及对铜的惰性等优势,被广......
碲化铋材料是最早被发现的半导体热电材料之一,在室温附近具有优异的热电性能。碲化铋基热电器件在热电应用化过程中具有重要意义......
热电材料是一种能实现热能和电能相互转换的新能源材料,由热电材料制备的热电发生器（TEG）可用于温差发电和热电制冷,而热电材料与电......
有机光电探测器(Organic photodetectors,OPDs)具有诸多优点,如成本低、吸收系数大、可大面积制备、活性层材料来源广泛等,因此在......
在温差存在的情况下,热电器件通过Seebeck效应使热能直接转化为电能。它由p型和n型热电臂通过电极串联连接组成。Half-Heusler（HH）化......
学位
目前,极大规模集成电路(GLSI)的关键技术节点已降低到10 nm以下。在此技术节点,传统阻挡层材料钽/氮化钽(Ta/Ta N)已不能满足集成......
采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶......
制备了两种不同结构的蓝色发光器件。其中阻挡层结构的器件为：ITO/CuPc/NPB/TPBi/Alq/MgAg;夹心型结构的器件为：ITO/CuPc/NPB/DPVBi:......
在过去20年里，固体氧化物燃料电池(Solid oxide fuel cell，SOFC）的研究取得了不菲的成果。传统SOFC的工作温度较高，会导致其电池寿命短......
本论文在综合分析了传统的扩散阻挡层性能的基础之上，结合有关非晶阻挡层研究的现状和理论知识，采用溅射的方法，制备了三元非晶扩散......
固体氧化物燃料电池(SOFC)能够将多种燃料的化学能直接转化为电能,是最为清洁、高效的能源之一。SOFC的中低温化是其商业化的必然......
近年来新型磁性纳米材料的研究非常引人注目。磁性纳米材料在提供磁场、能量转换、传感器、励磁与数据存储器件等方面已经得到了应......
证实了隧道环形光纤激光器的连续波振荡。用高增益放大介质阻挡层宽度0～λ/2,补偿隧道系统中遇到的高损耗。实验观测和简单的理论模......
采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表......
为了研究SiCP/2024Al复合材料阳极氧化的保护效果,用电化学方法、浸泡试验和盐雾试验研究了该复合材料及相应的施加阳极氧化保护试......
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不......
提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退......
在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在......
期刊
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn...
