CMP相关论文
浅沟槽隔离（STI）化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中的一项关键技术,要求有高的高密度等离子体二氧化硅/氮化硅（HDP/Si3N4）速率选择比（大......
硅通孔（TSV）技术是堆叠器件三维封装领域新的技术方案。器件采用先进的3D封装互连方式,能够进一步加速产品的时钟频率、降低能耗和提......
硬质合金是一种具有优秀力学性能的材料,广泛应用于切削、钻孔等领域。采用化学机械抛光加工硬质合金可以有效地提高硬质合金的表......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
本文分析和总结了PKI技术基础、PKIX-CMP标准规范,介绍了基于PKIX-CMP的CA系统的具体设计和实现.在CA系统的开发中用到了Cryptlib......
随着芯片内植入晶体管数量的逐年递增,在一块芯片内集成更多的处理器内核是可能的,根据摩尔定律,微处理器的速度以及单片集成度每1......
通过APC(Advance Process Control)的建模和研磨实验,研究了APC的闭环控制(Close Loop Control)和开环控制(Open Loop Control)在D......
集成电路制造工艺进入65 nm技术节点后,金属铜（Cu）布线层数超过十层,铜膜变得越来越薄。如果化学机械平坦化（CMP）中抛光压力过大,会引......
随着集成电路技术节点逐渐发展到14 nm及其以下,传统的阻挡层材料（Ta/TaN）,因与Cu的粘附性差、阻挡层厚度过大和可靠性差等问题无法......
碳化硅是一种优异的第三代半导体材料,具有带隙宽、漂移速度大、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强的优良特点,常作为高频、高功......
随着电子信息产业中集成电路和通信技术对第三代半导体的质量和制造水准要求越来越高,氮化镓作为性能优越的第三代半导体材料,具有......
本文着重对蓝桉原料碱性亚钠法化学机械浆的化学预处理工艺进行了研究,以确定蓝桉碱性亚钠法化机浆磺化预处理的最优工艺条件.......
和以前我们曾经介绍过的Focal Press一样,CMP Books也是世界最大的科技图书出版集团Elsevier旗下的出版社.该出版社产品颇多,与AV......
使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34 kPa、抛光头转速为87 r/min、抛光盘转速为93 r/min、流量为300 mL/min的条件下,研究不......
曲面手机玻璃抛光工艺是基于有限元技术发展起来的,是曲面手机生产不可或缺的一项现代化技术.基于此,本文介绍了曲面手机玻璃的抛......
介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进。......
开发和利用并行性是提高程序执行性能的有效方法之一.传统的处理器主要采用超标量结构和超长指令字结构开发指令级并行性,受到程序......
化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟.测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了......
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制.马拉松式运行......
化学机械抛光工艺控制和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟.测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了......
化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研......
机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS.鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力......
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,......
研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一......
离子注入下胞嘧啶(CMP)核苷酸释放无机磷具有快反应和慢反应两种方式.研究了温度对慢反应过程的影响,发现辐射诱发的不稳定磷酸酯......
Nanotopography Impact in Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing-Dependence on Slurry
The nanotopography of the surface of silicon wafers has become an important issue in ULSI device manufacturing since it ......
