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GLSI多层铜布线Ru阻挡层CMP材料与工艺的研究
随着集成电路技术节点逐渐发展到14 nm及其以下,传统的阻挡层材料(Ta/TaN),因与Cu的粘附性差、阻挡层厚度过大和可靠性差等问题无法......
学位
集成电路
CMP
Ru
双氧水
胍离子
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