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更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器件,比传统槽栅型VDMOS的阻断电压提高21.6%,同时比导通电阻降低84.1%,且器件具有更高的可靠性。