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会议论文
直拉硅中氮的行为
直拉硅中氮的行为
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:crystalymd
【摘 要】
:
该文研究了硅中氮氧复合物、氮-新施主、氮对热施主(TD)、新施主(ND)和氧沉淀的影响,并对实验结果进行了讨论。
【作 者】
:
刘培东
黄笑容
【机 构】
:
大学硅材料科学国家重点实验室(杭州)
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
直拉硅
新施主
氮氧复合物
氧沉淀
热施主
实验
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该文研究了硅中氮氧复合物、氮-新施主、氮对热施主(TD)、新施主(ND)和氧沉淀的影响,并对实验结果进行了讨论。
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