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半导体元件微小化对于硅晶圆的要求越来越严格,也促造了SOI晶圆的工艺.SOI晶圆是在硅晶圆上制作一层氧化层,再于氧化层上制作一层硅单晶层.这种结构的好处之一是氧化层提供电晶体与硅基板间的电讯的隔离,可以减少寄生电容效应及降低元件的漏电流损失.本文就直接接合SOI晶圆的工艺进行了讨论。
直接接合SOI晶圆之工藝
【摘 要】
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半导体元件微小化对于硅晶圆的要求越来越严格,也促造了SOI晶圆的工艺.SOI晶圆是在硅晶圆上制作一层氧化层,再于氧化层上制作一层硅单晶层.这种结构的好处之一是氧化层提供电
【机 构】
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合晶科技(台灣)
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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