【摘 要】
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会同时增大其暗电导和光电导,并降低晶化率,对单室中制备pin电池带来了不利影响。而沉积n材料后先沉积一层p型薄膜,随后再沉积微晶p层及其后微晶i层,磷对材料性能的影响则几乎消失,这为单室工艺中抑制磷污染与提高电池效率提供思路。
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