PVP缠绕和SiO2装载双重富集Cu∶CdS@ZnS掺杂量子点用于高亮度细胞成像

来源 :第八届海峡两岸分析化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanlv512
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本工作通过将Cu2+掺杂到CdS量子点以增大其斯托克斯位移,从而大大减弱了Cu∶CdS@ZnS (Cu-doped QDs)的浓度淬灭或聚集淬灭效应.同时,将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)缠绕和SiO2装载双重富集策略用于上述Cu掺杂量子点的富集,获得的双富集纳米粒子(dually-enriched nano-particles,D-NPs)与富集前的掺杂量子点(d-dots)以及用常规单富集方法获得的单富集纳米粒子(single-enrichment strategy,S-NPs)相比,其荧光发光强度和光稳定性大大提高,细胞成像效果得到提升.
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