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文中描述了用丝网印刷的方法制作正栅极、背栅极1和侧栅极三极管型纳来碳管场发射显示器件,介绍了它们的制作工艺、所需材料要求,并建立模型进行ANSYS电场分布模拟,并对以上结构进行了比较分析。
厚膜工艺制作纳米碳管场发射显示器(CNT-FED)的几种三极管型结构的研究
【摘 要】
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文中描述了用丝网印刷的方法制作正栅极、背栅极1和侧栅极三极管型纳来碳管场发射显示器件,介绍了它们的制作工艺、所需材料要求,并建立模型进行ANSYS电场分布模拟,并对以上
【机 构】
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上海广电电子股份有限公司,平板显示技术研究开发中心,200081
【出 处】
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上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会
【发表日期】
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2004年期
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