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多铁性材料不仅同时具有铁电和铁磁性,而且还具有磁电耦合效应,由于这种特殊的磁电性能,使得它在传感器、存储器、微波器件等领域具有广阔的潜在应用价值。BiFeO3由于其较高的居里温度(TC=1103K)和奈尔温度(TN=643K)而成为多铁性材料研究中的热点。但由于其较大的漏电流和弱磁性,限制了它的应用。因此本文研究了 La、Mn共掺杂的Bi0.85La0.15Fe0.95Mrn0.05O3(BLFMO)薄膜,通过引入缓冲层以及实现取向生长来改善BLFMO薄膜的铁磁铁电性能。首先,采用溶胶-凝胶法在Si基板上制备了 BLFMO薄膜,并研究了不同底电极(LaNiO3(LNO)、La0.67Sr0.33MnO3(LSMO))对BLFMO薄膜铁磁铁电性能的影响。结果表明,以LNO为底电极时薄膜铁电性能良好(Pr=15.69μC/cm2),但未观测到饱和磁滞回线;以LSMO为底电极时,薄膜的饱和磁化强度增加到28.4emu/cm3,但未观测到电滞回线。为了进一步提高薄膜的铁磁铁电性能,以单晶LaAlO3(00l)为基板采用逐层热处理工艺(空气气氛)制备了具有高度c轴择优取向的BLFMO外延薄膜,以及具有电容结构的LNO/BLFMO/LNO以及LSMO/BLFMO/LSMO复合外延薄膜,并通过XRD、TEM等手段观察到复合外延膜具有良好的外延特性。之后对复合外延薄膜铁磁性能和铁电性能进行测试,结果表明:室温下LSMO/BLFMO/LSMO复合外延薄膜具有较大的饱和磁化强度(Ms=585.9emu/cm3)与LNO/BLFMO/LNO外延膜的饱和磁化强度相比提高了两个数量级;同时,BLFMO/LSMO外延膜具有较高的剩余极化强度(Pr=50.61μc/cm2)。漏电流测试结果表明250kV/cm的电场下BLFMO/LSMO复合外延薄膜漏电流密度降低到10-5A/cm2,与BLFMO/LNO外延膜相比漏电流密度降低了 一个数量级。