氮化镓(GaN)因其具有的宽禁带、大临界电场、高电子迁移率以及良好的热导率等优良特性,满足了下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高压高温工作的要求。特别是在智能快充领域,GaN功率器件快速充电器具有功率更大、体积更小、充电速度更快的优势。击穿电压是GaN功率器件提升功率处理和转换能力的重要参数。场板结构作为提高击穿电压工艺最为成熟、效果最为显著的技术之一,仍存在许多问题:如场板结构器件的平均击穿电场远低于GaN材料的临界击穿场强,复杂场板结构器件优化周期太长等。因此,复杂场板结构的优化和高击穿场板结构的设计与优化,对提高场板结构器件的耐压特性具有重要意义。本文基于GaN功率器件研究并优化了复合场板结构及相关参数。首先,在仿真平台上,分别优化了栅场板、源场板和漏场板结构器件的场板长度、厚度和场板下钝化层厚度等参数。然后,根据仿真结果确定复合场板结构器件中的部分参数,进一步优化了源场板长度和源场板下钝化层厚度。最后,结合仿真得出的规律,完成实际复合场板结构器件参数的优化,并制备出击穿电压高达1820V的复合场板结构器件,较无场板结构器件提升了12%。本文研究了斜栅场板结构和离散场板结构GaN功率器件,并优化了相关参数。首先,在仿真平台上,把斜栅场板结构简化成相应的阶梯形式的场板结构,并通过优化基础斜栅场板结构的阶梯数量、阶梯厚度和斜栅场板下钝化层厚度等参数,得到了击穿电压为502V的器件。在此基础上,提出了多离散场板结构,通过比较两种结构在相同电压下对器件沟道电场分布的影响,可发现多离散场板结构也能有效地提高器件击穿电压。进一步地,优化了单离散场板和双离散场板结构器件的场板长度、场板间距和场板下钝化层厚度等参数。最后,结合仿真得出的规律,完成实际单离散场板结构和双离散场板结构GaN功率器件参数的优化,并制备出了击穿电压为1350V的双离散场板结构器件,较无场板结构器件提升了约108%。