高电子迁移率晶体管相关论文
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
得益于GaN材料的宽带隙、高饱和速度和高击穿电压等特性,GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）在高温......
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, HEMT）以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人......
数字化、智慧化、绿色化的发展趋势对电源系统提出了高能效、小体积、高能量密度的刚性需求。氮化镓（GaN）材料以其禁带宽度大、临界......
随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
随着半导体产业的不断升级发展,传统的Si基功率半导体器件已进入性能瓶颈期。以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带氮化物半导体材料性......
在对外太空的探索中,用于宇宙射线探测的半导体探测器的输出信号比较微弱,必须搭配前置放大电路使用。近几年第三代半导体正飞速发......
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low ......
相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气......
毫米波具有波长短、频带宽和波束窄等优势,可大幅提高雷达的探测精度和通信的数据容量,提供更多互不干扰的通道。此外,毫米波频段（3......
制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明, 当在太赫兹......
为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增。采用p型栅结构制备增强型器件的方法......
铁电薄膜与宽禁带半导体的集成是面向功率电子、智能传感等新兴高技术产业应用的关键技术。在氮化镓基高电子迁移率晶体管器件的研......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)是一种基于第三代半导体氮化镓(Ga N)的器件,它有着高载......
编码超表面的提出在物理世界和信息世界之间搭建起了桥梁,将编码超表面与半导体调制器件相结合能够实现电磁波的动态数字波前调控......
在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应......
将铁电材料与红外型器件相结合的微型半导体器件在近年来研究非常活跃,铁电材料本身具有的良好的压电、铁电、热释电、光电及非线......
半导体温度传感器具有灵敏度高,体积小,功耗低和抗干扰能力强等优点,已广泛应用于医疗,工业,航空和民用等领域。但是,大多数基于硅......
由于氮化镓(GaN)具有宽禁带宽度、大击穿电场、高电子迁移率、强抗辐照能力等优异的材料性能,非常适合制备在极端条件下工作的高频......
Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高的载流子浓度和高的迁移率,在高频和高功率等领域表现出了优异的性能。一方面,HEMT器件......
为了适应电力电子和电源管理等电路系统日益增长的功率密度、工作频率、高温适应能力、开关速度和电压应用范围需求,具有高耐压、......
回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、......
随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级......
设计了一种由具有高谐振强度的四开口圆环超材料结构和高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)复合结构构......
得益于异质结结构，AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪......
由于太赫兹波具有许多优点，如较小的光子能量、优良的相干性和高透过率，在过去的二十年中，太赫兹技术吸引了各个领域的研究者。随着太......
基于新原理、新效应、新结构的微纳器件与系统的设计与开发已成为当前微纳机电系统(M/NEMS)技术领域的研究热点。高电子迁移率晶体......
近些年来，GaN基异质结材料作为超高频大功率器件的核心材料其结构设计，器件制作，工艺优化被广泛研究。一直以来提高功率密度缩小器件......
本文主要设计基于氮化镓高电子迁移率晶体管的X波段微波单片低噪声放大器,首先简单介绍了氮化镓材料、器件的优势及氮化镓微波单片......
本文重点研究了蓝宝石衬底上的铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)和集成电路。
首先，开展了不同F等离......
因为氮化镓(GaN)基材料禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、耐高压、抗辐照、容易形成异质结构、具有大的自发和压电极化产生的高二......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族GaN材料及AlGaN/GaN异质结由于临界击穿场强高、热传导性好、电子饱和迁移率快和电子面密度高等优点在高频、高压和......
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器......
随着物理电子和加工制造工艺的高速发展,分布式放大器也有了长足发展。本文介绍了基于HEMT的分布式放大器原理,设计过程和设计方法......
采用应力测试方法,获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表明, 应力导致漏极电流崩塌56．2％;不同电压应力条件下,......
为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分......
简介rn2004年2月,安捷伦科技宣布,其销售的E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)功放器(PA)模块的销售量已经突破1000万.GSM......
综合镓极性(Ga-polar)和氮极性(N-polar)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)上的欧姆接触特性,提出了一种混合极性的GaN基HEMT结构.通......
